普兴电子申请碳化硅外延生长设备专利，减少掺杂交叉污染
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2026-01-21 10:38:59
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国家知识产权局信息显示，河北普兴电子科技股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅外延生长设备”的专利，公开号CN121344757A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种碳化硅外延生长设备，涉及碳化硅外延技术领域。本发明通过设置两个托盘，不同掺杂类型生长时，采用不同的托盘，避免托盘交叉使用，避免掺杂交叉污染。两独立的暂存腔分别存放不同的托盘，避免托盘存放时的交叉污染。两次不同掺杂类型的碳化硅外延层生长切换时，托盘和晶圆在机台内部分离，托盘在机台内部切换，晶圆不出机台、始终在密闭的环境中，避免外界环境污染，确保连续生长。另外，托盘与晶圆的分离、托盘的切换仅在暂存腔内完成，避免改造原反应腔结构，保持外延生长的一致性，降低改进成本。本发明实施例在连续生长不同掺杂类型的碳化硅外延层时，通过托盘切换，托盘与晶圆的非同步传输，减少了掺杂交叉污染。
天眼查资料显示，河北普兴电子科技股份有限公司，成立于2000年，位于石家庄市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本14450万人民币。通过天眼查大数据分析，河北普兴电子科技股份有限公司参与招投标项目268次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息84条，此外企业还拥有行政许可15个。
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来源：市场资讯
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