华虹半导体申请BE-SONOS嵌入式存储器结构及工艺方法专利，提高载流子注入效率_行业新闻

华虹半导体申请BE-SONOS嵌入式存储器结构及工艺方法专利，提高载流子注入效率

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2026-01-22 09:40:51

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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“BE-SONOS嵌入式存储器结构及工艺方法”的专利，公开号CN121357889A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种BE‑SONOS嵌入式存储器结构，所述的BE‑SONOS嵌入式存储器包含选择栅、控制栅以及浮栅；所述的控制栅位于浮栅之上，所述的浮栅与控制栅之间以绝缘介质层隔离；所述的控制栅以及浮栅为多组，所述的选择栅为沟槽型，位于相邻的控制栅以及浮栅之间的衬底之中；沟槽型的选择栅两侧的衬底中形成沟道区；所述的浮栅为复合型的BE‑SONOS多层结构，其从下至上依次为第一氧化层、第一氮化层、第二氧化层、第二氮化层、第三氧化层。本发明利用氮化物中Si悬挂键可以俘获电子跟空穴特性，氮化物作为电子俘获层，将现有结构的浮栅floatinggate用BE‑SONOS结构代替，载流子注入效率相对提高，制造工艺上使用的掩膜版更少，降低工艺时长，提高制造效率。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1983条，此外企业还拥有行政许可117个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法氮化物投资载流子半导体存储器工艺结构专利华虹沟槽型嵌入式存储器浮栅

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