吉林大学申请压力传感器芯片及制备方法专利，解决碳化硅压力传感器芯片难以满足高精度压力测量需求的问题
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2026-01-23 11:40:48
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国家知识产权局信息显示，吉林大学;沈阳仪表科学研究院有限公司申请一项名为“压力传感器芯片及制备方法”的专利，公开号CN121364034A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请涉及压力传感器技术领域，尤其涉及一种压力传感器芯片及制备方法，通过刻蚀碳化硅外延片的p型碳化硅键合层形成金属电极开孔区、p型隔离通道及键合区；刻蚀n型碳化硅器件层形成n型隔离通道、阻条引线及n型碳化硅压敏电阻；设置二氧化硅层在p型隔离通道侧壁、n型隔离通道侧壁及楔形通孔与p型碳化硅键合层未接触的钝化区；设置金属电极层在金属电极开孔区并与n型碳化硅器件层接触；刻蚀n型碳化硅衬底的底部形成环形阶梯状压力腔体，在碳化硅封接盖板中心设置有盲槽和楔形通孔，碳化硅封接盖板键合于碳化硅外延片的顶部，以解决碳化硅压力传感器芯片难以满足高精度压力测量需求的问题。
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来源：市场资讯
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