格力电器获得发明专利授权：“一种沟槽MOSFET器件、制造方法和芯片”
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2026-01-24 08:39:02
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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示格力电器（000651）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种沟槽MOSFET器件、制造方法和芯片”，专利申请号为CN202411906649.X，授权日为2026年1月23日。
专利摘要：本发明实施例提供了一种沟槽MOSFET器件、制造方法和芯片，器件包括沿第一方向交替排列的第一截面区、第二截面区和第三截面区；第一截面区、第二截面区和第三截面区均包括：N型衬底、外延层、第一沟槽、氧化层、第一N区、P阱区、N+区、第二沟槽、栅极和源极；外延层设于N型衬底的一侧；第一N区位于第一沟槽两侧的下方；N+区位于第一沟槽两侧；P阱区连接于N+区的下方；第二沟槽位于第一沟槽的底部；通过第一截面区的位于第二沟槽底部及拐角的P区起到的电场屏蔽作用，以及第三截面区的位于第一沟槽底部的P区起到的电场屏蔽作用，从而避免沟槽拐角处产生较强电场导致的器件损坏，提高了器件的可靠性。
今年以来格力电器新获得专利授权590个，较去年同期增加了76.12%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了39.18亿元，同比增10.92%。
通过天眼查大数据分析，珠海格力电器股份有限公司共对外投资了98家企业，参与招投标项目34388次；财产线索方面有商标信息8212条，专利信息120845条，著作权信息299条；此外企业还拥有行政许可908个。
数据来源：天眼查APP
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