国家知识产权局信息显示,湖南虹安微电子有限责任公司取得一项名为“半导体测试结构”的专利,授权公告号CN223829815U,申请日期为2025年2月。
专利摘要显示,本实用新型实施例提供半导体测试结构。所述半导体测试结构包括:衬底;外延层,设置于所述衬底上;场氧化层,位于所述外延层上,所述场氧化层上设置有打开区域,所述打开区域上间隔设置有多个沟槽,所述沟槽内设置有多晶硅;栅氧层,位于所述沟槽和所述外延层之间;介质层,覆盖于外延层远离所述衬底的外表面上;金属层,位于所述介质层上,所述金属层包括分别电连接所述沟槽两端的第一焊盘和第二焊盘;以及多个接触通孔,贯穿所述介质层,所述金属层通过多个所述接触通孔与多个所述沟槽连接;所述半导体测试结构通过在所述第一焊盘和所述第二焊盘处施加电压以测试半导体的接触孔的偏移情况。
天眼查资料显示,湖南虹安微电子有限责任公司,成立于2023年,位于长沙市,是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析,湖南虹安微电子有限责任公司共对外投资了1家企业,专利信息17条,此外企业还拥有行政许可1个。
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来源:市场资讯