和舰芯片申请防止多晶硅开裂的屏蔽栅沟槽形成方法专利，解决屏蔽多晶硅开裂的问题
创始人
2026-01-24 16:40:43
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国家知识产权局信息显示，和舰芯片制造（苏州）股份有限公司申请一项名为“一种防止多晶硅开裂的屏蔽栅沟槽的形成方法”的专利，公开号CN121398095A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种防止多晶硅开裂的屏蔽栅沟槽的形成方法，其包括以下步骤：S1、提供一半导体基底，在半导体基底表面形成沟槽和外延层，在沟槽的内壁进行屏蔽氧化物沉积形成第一槽内氧化层；S2、在第一槽内氧化层内进行光阻涂覆形成光阻层；S3、对光阻层进行干回刻后去除光阻形成第二槽内氧化层；S4、在第二槽内氧化层和外延层上进行多晶硅沉积后进行平坦化和回刻处理。本发明通过涂覆光阻、干回刻和去光阻后实现沟槽内具有一大于90°的开口，从而可以改善沟槽内溢出问题，同时避免沟槽底部氧化物流失，从而解决屏蔽多晶硅开裂的问题，达到预期目的。
天眼查资料显示，和舰芯片制造（苏州）股份有限公司，成立于2001年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本314524.57万人民币。通过天眼查大数据分析，和舰芯片制造（苏州）股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目20次，财产线索方面有商标信息18条，专利信息410条，此外企业还拥有行政许可29个。
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来源：市场资讯
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