美光科技申请用于形成集成电路系统的专利，集成电路系统包括堆叠从阵列区延伸到阶梯区中的竖直交替绝缘层级及导电层级
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2026-01-27 21:45:42
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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“集成电路系统及用于形成集成电路系统的方法”的专利，公开号CN121398009A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本申请案涉及集成电路系统及用于形成集成电路系统的方法。集成电路系统包括堆叠，其包括从阵列区延伸到阶梯区中的竖直交替绝缘层级及导电层级。所述阶梯区包括梯级梯段，所述梯级包括踏面，其中所述踏面中的个别者包括目标导电层级。导电通路从所述个别踏面中的一者正上方、穿过所述个别踏面中的一者及到所述个别踏面中的一者的正下方延伸到所述堆叠的底部。所述导电通路包括直接电耦合到所述一个个别踏面的所述目标导电层级中的所述导电材料的导体材料。所述导体材料处于所述目标导电层级中、在所述目标导电层级中的所述导电材料正上方及正下方。公开其它实施例，包含方法。
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