截至2026年1月29日 14:48，科创芯片设计ETF易方达(589030)盘中换手26.47%，成交1.11亿元，市场交投活跃。

截至1月28日，科创芯片设计ETF易方达(589030)最新规模、最新份额均创成立以来新高。

资金流入方面，科创芯片设计ETF易方达(589030)最新资金净流入8270.62万元。拉长时间看，近5个交易日内有4日资金净流入，合计“吸金”1.41亿元。

消息面上，复旦大学在原子层半导体太空电子学领域获里程碑式突破：寿命更长、功耗更低的抗辐射射频通信系统“青鸟”将《复旦大学校歌》送入太空。同日，《自然》在线发表了复旦大学物理学研究团队题为《斯通纳-沃尔法思反铁磁体的铁磁型双稳态翻转》的研究成果。该工作揭示了低维层间反铁磁体磁化翻转的关键因素与独特效应，推动反铁磁材料研究迈出从“有趣而无用”到“可读可写”的关键一步，为开发新一代低功耗、高速运算芯片提供了新路径。

东方证券认为，AI需求正为利基存储打开显著增量空间：端侧AI推动BIOS及代码量增长，带动NOR Flash容量需求提升；SLC NAND有望应用于AI SSD及高带宽内存（HBF）；算力卡亦需SPI NOR Flash用于系统启动与固件存储。与此同时，国际大厂持续退出利基存储产能，全球MLC NAND Flash 2026年产能将大幅缩减41.7%，NOR Flash等供给同步承压，涨价趋势有望延续。国内厂商已在NOR Flash、SLC NAND、利基DRAM及SRAM等多个细分领域跻身全球前列，竞争优势突出。

科创芯片设计ETF易方达(589030)紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。

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