武汉新芯申请半导体装置及其制作方法专利，有助于提高半导体装置的良率
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2026-02-02 15:46:40
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国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制作方法”的专利，公开号CN121443135A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体装置及其制作方法。所述半导体装置包括第一晶圆结构和堆叠于第一晶圆结构第二侧的至少一层堆叠芯片，所述堆叠芯片具有第一测试焊盘和第二测试焊盘，可以对形成所述堆叠芯片的芯片以及所述堆叠芯片进行测试筛选，有助于提高半导体装置的良率，并且，第一晶圆结构的第一侧形成有金属焊盘，所述金属焊盘可以在第一晶圆结构上堆叠堆叠芯片之前形成，避免在堆叠堆叠芯片之后由于高温工艺而引起翘曲变形，有助于实现较多层的芯片和/或晶圆堆叠。所述制作方法可形成上述半导体装置。
天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目225次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1817条，此外企业还拥有行政许可106个。
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来源：市场资讯
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