安徽格恩半导体申请提高LED芯片性能专利，提升外量子效率即降低正向电压_行业新闻

安徽格恩半导体申请提高LED芯片性能专利，提升外量子效率即降低正向电压

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2026-02-04 13:47:59

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国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种提高器件性能的LED芯片结构”的专利，公开号CN121442855A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明涉及一种提高器件性能的LED芯片结构，贯穿第二半导体层及有源层，并延伸到第一半导体层内部的凹陷；与第二半导体层形成欧姆接触的第一导电层，覆盖于第二半导体层部分表面且在第一导电层表面形成规则凹陷的第一绝缘层；覆盖于第一绝缘层部分表面且填充于第一绝缘层形成的凹陷，与第一导电层形成电连接的第一反射层；覆盖于第一绝缘层部分表面且与第一反射层形成电连接的第二导电层，覆盖于凹陷侧壁及第一电连接层一侧的第二绝缘层，覆盖于第二绝缘层部分表面并填充于凹陷的第二反射层，第二反射层与第一半导体层形成欧姆接触。本发明提升外量子效率即降低正向电压，提高芯片亮度；减少热效应，防止金属迁移造成失效。

天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息527条，此外企业还拥有行政许可13个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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