充电头网在整理历年拆解案例时注意到,方舟微多款功率MOS已进入哈曼、摩米士等厂商供应链,覆盖耗尽型与增强型两条产品路线,可分别面向“自供电/上电控制”等特殊需求与“低导阻高效率”的主流开关应用。下面将结合案例,对相关型号的参数定位与典型应用进行梳理,便于工程师与采购读者快速对照选型。

方舟微DMZ0615E是一款耐压70V,导阻10Ω的耗尽形MOS,采用SOT-23封装,这款器件能够利用其次阈值特性稳定地为负载供电,具备改进的ESD能力以及超高Vth,损耗低,符合RoHS标准,无铅无卤素,适用于各种快充设备使用。
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方舟微DMZ1015E是一款耐压100V的MOS,导阻30Ω,拥有SOT-89、SOT-23两种封装形式,这款器件能够利用其次阈值特性稳定地为负载供电,具有改进的ESD能力,符合RoHS标准,无铅无卤素,适用于各种快充设备使用。
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右上角丝印520的器件为方舟微DMZ1520E,该器件是一款耐压150V、最大导通电阻15Ω的耗尽型MOSFET,采用SOT-23封装。利用其亚阈特性,可搭配一颗限流电阻构成简易恒流源,满足PWM控制器在宽输入电压范围内的恒流供电需求;还可搭配偏置电阻与齐纳管,构成静态电流极低的线性稳压电路,最高支持150V输入电压。DMZ1520E采用ESD增强设计,符合RoHS标准,无铅无卤素,适用于各类快充设备。
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方舟微DMZ1521E是一款耐压150V,导阻为15Ω的耗尽型MOS,具备高阈值电压,改进的ESD能力,栅极坚固,适用于需要高频开关的场景,同时这款产品符合RoHS规范,无铅无卤素,适用于同步整流、线性放大器等场景应用。
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方舟微DMZ6005E是一颗耐压600V,导阻700Ω的耗尽型MOS。该器件以其特有的电特性,替代传统电阻启动,启动完成后,自动关闭,由附加绕组供电,无功耗。DMZ6005E的应用方案与传统的电阻式启动电路比较,具有低功耗高效率,器件发热低,PCB 布局紧湊,高可靠性等优势。
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方舟微AKF30N5P0S是一颗耐压30V的增强型NMOS,导阻为4.2mΩ,通过RoHS认证,无铅无卤素,采用PDFN3333封装。适用于负载开关、同步整流的应用场景。
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方舟微AKF30N10S是一款耐压30V的增强型NMOS,导阻9.3mΩ,该器件具备45A的高电流能力,采用紧凑型PDFN 3*3封装,非常适合作为快充电设备的VBUS开关管使用。AKF30N10S符合RoHS标准,无铅无卤素,为高效率、高功率密度快充设计提供了理想选择。
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方舟微MOS在耗尽型MOS方面,DMZ0615E、DMZ1015E等耗尽型器件利用阈值与器件特性,适合用于需要稳定供电、上电控制或特定开关需求的场景,并在ESD能力、栅极可靠性等维度做了加强;在增强型MOS方面,AKF30N5P0S以30V耐压、低导阻与PDFN封装切入负载开关应用,更贴合快充对低损耗与小型化的核心诉求。
充电头网了解到,成都方舟微电子有限公司成立于2008年,是国内专业从事功率器件的研发、制造与销售,并提供电源管理、电路保护解决方案的公司。方舟微可根据客户需求,提供高端定制开发。公司专注于技术创新和应用创新,是以应用为导向不断提升技术水平的行业领军者。以市场需求带动创新研发,以技术发展引导应用升级,是方舟微一贯宗旨。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力,自主研发的耗尽型MOSFET、SiC MOSFET、光MOSFET继电器、稳压控制IC、集成功率器件等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。