苏州芯聚半导体申请提升激光剥离良率的Micro LED倒装芯片结构及制备方法专利，有效防止芯片碎裂_行业新闻

苏州芯聚半导体申请提升激光剥离良率的Micro LED倒装芯片结构及制备方法专利，有效防止芯片碎裂

创始人

2026-02-05 21:13:39

0次

国家知识产权局信息显示，苏州芯聚半导体有限公司申请一项名为“提升激光剥离良率的Micro LED倒装芯片结构及制备方法”的专利，公开号CN121463609A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明涉及Micro LED显示技术领域，公开了提升激光剥离良率的Micro LED倒装芯片结构及制备方法，包括：在外延层上形成台面及P、N电极后，采用一种折射率与生长衬底在激光剥离波长下相匹配的填充材料，对电极间的凹陷区域进行完全填充，随后，对填充后的表面进行平坦化处理，使填充材料的上表面与电极上表面共面，形成一个兼具机械支撑与光学匹配功能的填充平坦化层，最后再执行激光剥离步骤。本发明通过所形成的填充平坦化层，一方面为外延层提供了均匀的机械支撑以消除应力集中点，另一方面确保了激光能量能够均匀、高效地传输至整个剥离界面，从而有效防止芯片碎裂，提升了Micro LED芯片激光剥离的良率和可靠性。

天眼查资料显示，苏州芯聚半导体有限公司，成立于2020年，位于苏州市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本7328.17万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州芯聚半导体有限公司参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息48条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

显示的表面电极激光芯片 Micro 导体结构专利苏州良率填充材料

上一篇：股票行情快报：明阳电路（300739）2月5日主力资金净卖出170.59万元

下一篇：桂林雷光科技申请激光器芯片欧姆接触退火优化方法专利，提高激光器芯片欧姆接触的均匀性和良率

苏州芯聚半导体申请提升激光剥离良率的Micro LED倒装芯片结构及制备方法专利，有效防止芯片碎裂

相关内容

热门资讯