京东方华灿光电申请发光二极管及其制作方法专利，低折射率层的出光面为凹凸不平结构
创始人
2026-02-07 11:14:33
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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（广东）有限公司申请一项名为“发光二极管及其制作方法”的专利，公开号CN121463613A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及其制作方法。发光二极管包括：衬底、外延结构和低折射率层；外延结构位于衬底上，低折射率层位于衬底远离外延结构的一面，低折射率层的折射率小于衬底的折射率，低折射率层的折射率大于空气的折射率；低折射率层的出光面为凹凸不平结构。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（广东）有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本186000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（广东）有限公司参与招投标项目30次，专利信息69条，此外企业还拥有行政许可111个。
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来源：市场资讯
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