西安奕斯伟材料科技申请半导体衬底及其制备方法专利，阻止杂质进入基板和多晶硅层
创始人
2026-02-09 12:15:34
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国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“半导体衬底及其制备方法”的专利，公开号CN121487568A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本公开提供了半导体衬底及其制备方法，所述制备方法包括：在1000~1250℃的温度范围内对经掺杂的基板进行不小于2小时的热处理，使所述基板中的掺杂元素向所述基板的表面扩散，以形成杂质阻挡层；在所述基板的所述杂质阻挡层上生长多晶硅层，以形成所述半导体衬底；其中，所述杂质阻挡层用于在生长所述多晶硅层的过程中，阻止所述基板所暴露的环境中的杂质进入所述基板和所述多晶硅层。
天眼查资料显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司，成立于2016年，位于西安市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本403780万人民币。通过天眼查大数据分析，西安奕斯伟材料科技股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目7次，专利信息1511条，此外企业还拥有行政许可24个。
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来源：市场资讯
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