青岛佳恩半导体取得基于碳化硅材料的短路保护器专利，解决在短路状态下快速响应保护SIC MOSFET
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2026-02-11 10:49:17
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国家知识产权局信息显示，青岛佳恩半导体有限公司取得一项名为“一种基于碳化硅材料的短路保护器”的专利，授权公告号CN223899576U，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种基于碳化硅材料的短路保护器，属于短路保护器技术领域，该基于碳化硅材料的短路保护器自下而上依次包括：底部欧姆金属层与第一N+衬底层相连；第一N+衬底层位于底部欧姆金属层上表面；N层位于第一N+衬底层之上；耗尽区即空间电荷区，位于N层或第一N+衬底层与P+区之间；P+区位于第一N+衬底层上表面，两个P+区之间为导电通道，所述P+区用于形成PN结和控制电流；第二N+衬底层位于N层上表面；顶部欧姆金属层位于P+区和第二N+衬底层上表面，本实用新型可以解决在短路状态下快速响应保护SIC MOSFET。
天眼查资料显示，青岛佳恩半导体有限公司，成立于2015年，位于青岛市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本534.4165万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛佳恩半导体有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息58条，此外企业还拥有行政许可12个。
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来源：市场资讯
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