细美事申请能防止残留物留下的半导体制造工艺相关专利，防止残留物留下
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2025-05-27 08:37:20
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金融界2025年5月27日消息，国家知识产权局信息显示，细美事有限公司申请一项名为“半导体制造工艺、半导体装置和衬底处理装置”的专利，公开号CN120048737A，申请日期为2024年08月。

专利摘要显示，公开了一种能够防止残留物留下、防止图案塌缩、控制选择性并优化表面粗糙度的半导体制造工艺、通过该半导体制造工艺来制造的半导体装置、以及被配置为执行该半导体制造工艺的衬底处理装置。执行该半导体制造工艺以去除在半导体图案中的衬底与基底层之间的水平空间中形成在竖直层的外侧上的氧化物‑氮化物‑氧化物(ONO)层。

来源：金融界

制造 图案 显示 美事 半导体 装置 处理 残留物 工艺 专利 衬底

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