美光科技申请存储器单元选择晶体管掺杂技术专利，支持用于相对高沟道电阻的取消选择电压
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2026-02-27 14:11:04
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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“存储器单元选择晶体管的掺杂技术”的专利，公开号CN121587087A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，描述用于掺杂存储器单元选择晶体管的方法、系统及装置。存储器单元阵列的单元选择晶体管可各自包含在沟道的中间部分处掺杂的半导体沟道，其可支持用于相对高沟道电阻的取消选择电压，所述电压比其它晶体管配置相对更接近或等于接地电压。所述半导体沟道可包含在所述沟道的中间部分处的p型掺杂(例如，使用经配置浓度的硼)，所述中间部分位于用n型掺杂(例如，使用磷、砷或其组合，以及n型掺杂的其它实例)掺杂的端部之间。在一些实施方案中，未掺杂区可包含在所述n型掺杂部分与所述p型掺杂部分之间。此类技术可在形成于衬底上方的水平单元选择晶体管中实施，包含用于三维存储器阵列。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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