澳柯玛云联申请一种MOS器件及其制作方法专利，能有效降低栅极侧墙带来的寄生电容
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2025-05-27 13:04:48
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金融界2025年5月27日消息，国家知识产权局信息显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请一项名为“一种MOS器件及其制作方法”的专利，公开号CN120050961A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种MOS器件的制作方法，该方法依次形成第一氧化硅侧墙、牺牲侧墙及第二氧化硅侧墙于栅极结构的Y方向两侧，牺牲侧墙的顶面低于第一氧化硅侧墙的顶面，第二氧化硅侧墙的顶端与第二氧化硅侧墙的顶端相接，后续通过去除位于栅极结构的X方向两端的覆盖层以显露栅极结构的X方向两端的牺牲侧墙，并采用各向同性湿法刻蚀选择性去除牺牲侧墙以得到空气侧墙。本发明在栅极结构首尾两端开口，也就是侧面开口，并采用各向同性湿法刻蚀去除牺牲侧墙以得到空气侧墙的方案能够避免后续膜层沉积过程中空气侧墙被部分填充的问题，从而能有效降低栅极侧墙带来的寄生电容，并可实现宽度较大的空气侧墙，有利于进一步降低寄生电容，实现较低的能耗。
天眼查资料显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司，成立于2020年，位于青岛市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司共对外投资了5家企业，专利信息62条，此外企业还拥有行政许可4个。
来源：金融界
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