西安龙飞电气申请具有P型局域结构的超结MOS元胞结构专利,显著提升其抗单粒子能力
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2026-03-06 16:18:31
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国家知识产权局信息显示,西安龙飞电气技术有限公司申请一项名为“具有P型局域结构的超结MOS元胞结构及其制备方法”的专利,公开号CN121619920A,申请日期为2025年11月。

专利摘要显示,本发明公开了一种具有P型局域结构的超结MOS元胞结构及其制备方法,包括衬底、叠加于衬底之上的缓冲层、叠加于缓冲层之上的外延层、叠加于N柱上表面两侧阶梯区域的Pbody区以及位于N柱上表面、Pbody区上表面和N+区上表面部分区域之上的栅极结构层;外延层中包括N柱和位于N柱两侧的P柱;N柱中设置有多个间隔排列的P型局域结构;且每个P型局域结构的一端与一侧的P柱相接触,另一端与另一侧的P柱相接触;Pbody区中设置有P+区和N+区;其中,P+区位于远离N柱的一侧,N+区位于靠近N柱的一侧,从而提供了一种不显著影响超结功率 MOS 器件原有性能指标,且能显著提升其抗单粒子能力的超结MOS元胞结构。

天眼查资料显示,西安龙飞电气技术有限公司,成立于2013年,位于西安市,是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析,西安龙飞电气技术有限公司参与招投标项目23次,专利信息55条,此外企业还拥有行政许可17个。

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来源:市场资讯

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