上海积塔半导体申请半导体测试结构及其测试方法专利，为后续的工艺开发和器件设计提供参考和有效指导
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2025-05-27 14:08:03
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金融界2025年5月27日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体测试结构及其测试方法”的专利，公开号CN120048821A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体测试结构及其测试方法。该结构包括：第一导电类型的半导体衬底，设有掺杂区；第二导电类型的掺杂层，于掺杂区上形成；介质层，设于掺杂层背离半导体衬底的一侧；导电层，设于介质层背离半导体衬底的一侧；导电层包括多个在第一方向上间隔设置的导电层组，每一导电层组包括至少一个第一导电层和两个第二导电层，两个第二导电层设于第一导电层的两侧且与第一导电层相邻，两个第二导电层到第一导电层的距离相等；每一导电层组中的各第一导电层与其相邻的第二导电层之间的距离不相同。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1820次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1111条，此外企业还拥有行政许可192个。
来源：金融界
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