华润微电子申请半导体器件及其制造方法专利，降低沟道电阻
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2026-03-07 10:43:29
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国家知识产权局信息显示，无锡华润微电子有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121619904A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，一种半导体器件及其制造方法，该器件包括：基底，其第一表面形成有源区和位于源区下方的体区；形成于基底的第一表面的第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽贯穿体区和源区；位于第一沟槽的第二侧壁的第二鳍状栅极和位于第二沟槽的第三侧壁的第三鳍状栅极，第二鳍状栅极与第三鳍状栅极相邻且对称；覆盖第二鳍状栅极的第一层间介电层和覆盖第三鳍状栅极的第二层间介电层；源极接触层，位于源区的顶部、第一沟槽的第一侧壁和底部未被第一层间介电层覆盖的部分、第二沟槽的第四侧壁和底部未被第二层间介电层覆盖的部分。该器件能够增加有效迁移率，缩小台面区域尺寸，降低沟道电阻。
天眼查资料显示，无锡华润微电子有限公司，成立于2002年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本57000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡华润微电子有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目2776次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息116条，此外企业还拥有行政许可189个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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