粤芯半导体申请背照式图像传感器像素隔离结构制备方法及半导体结构专利，提升光子串扰的抑制效果_行业新闻

粤芯半导体申请背照式图像传感器像素隔离结构制备方法及半导体结构专利，提升光子串扰的抑制效果

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2026-03-07 14:28:25

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国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“背照式图像传感器的像素隔离结构制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN121619974A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种背照式图像传感器的像素隔离结构制备方法及半导体结构，该方法包括：提供衬底，在衬底中形成多个像素结构；在衬底上形成第一介质层薄膜，并在第一介质层薄膜上形成含碳的有机介质层直至填满深沟槽；对有机介质层进行刻蚀直至低于深沟槽的顶部，并在衬底上形成第二介质层薄膜直至覆盖深沟槽内部的有机介质层；对位于深沟槽内部的第二介质层薄膜进行定向刻蚀形成开口，以露出有机介质层；去除有机介质层，并对第二介质层薄膜进行封口，以形成空气间隙；执行抛光处理直至露出像素结构的上表面。本方案实现了在像素结构之间的深沟槽内部形成可调节大小和位置的空气间隙，降低光子横向泄露概率，提升光子串扰的抑制效果。

天眼查资料显示，粤芯半导体技术股份有限公司，成立于2017年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本236559.1397万人民币。通过天眼查大数据分析，粤芯半导体技术股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目130次，财产线索方面有商标信息46条，专利信息1040条，此外企业还拥有行政许可129个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业投资隔离介质图像传感器导体光子结构专利深沟槽薄膜衬底像素介质层

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