上海华力申请FDSOI图像传感器及其制造方法专利，能增加光通量
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2026-03-09 08:49:01
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国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“FDSOI图像传感器及其制造方法”的专利，公开号CN121619981A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种FDSOI图像传感器，像素单元结构包括：形成于SOI层上的FDSOI晶体管和形成于底部半导体衬底中的光电二极管，光电二极管包括感光阱区。光电二极管位于FDSOI晶体管的正下方并延伸到FDSOI晶体管的形成区域的外侧；在FDSOI晶体管的源区和/或漏区的外侧具有第一延伸端，第一延伸端用于供入射光从正面入射到感光阱区中；第一延伸端中形成有多个浅层STI，各浅层STI穿过SOI层并和底部的绝缘埋层接触；各浅层STI形成对绝缘埋层反射的底部反射光进行反射的反射结构，用以增加入射光进入到感光阱区中的光通量。本发明还公开了一种FDSOI图像传感器的制造方法。本发明能增加入射光的利用率并从而能增加光通量以及提高光的响应敏感性，进而能实现器件面积的缩小。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2082次，专利信息2765条，此外企业还拥有行政许可399个。
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来源：市场资讯
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