上海积塔半导体申请一种半导体结构及其制备方法专利，使工艺区的目标刻蚀层的刻蚀停止控制更为可控
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2025-05-27 15:05:35
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金融界2025年5月27日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120048791A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括如下步骤：提供一基底，所述基底上设有工艺区及监测区；于所述工艺区的所述基底中形成工艺槽，并于所述监测区的所述基底中形成检测槽，所述检测槽的开口面积沿所述检测槽向所述基底内凹陷的方向逐渐减小；形成填充所述工艺槽的目标结构以及填充所述检测槽的检测结构；对所述检测结构及所述目标结构进行同步刻蚀；对刻蚀后所述监测区中显露的所述基底的信号进行监测，以获取所述目标结构的刻蚀深度。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1820次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1111条，此外企业还拥有行政许可192个。

来源：金融界

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