上海新微技术研发中心申请一种芯片封装体及其制备方法、芯片封装结构专利,从根本上有效解决芯片漏电问题
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2026-03-14 23:29:33
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国家知识产权局信息显示,上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“一种芯片封装体及其制备方法、芯片封装结构”的专利,公开号CN121665713A,申请日期为2025年12月。

专利摘要显示,本申请涉及芯片封装技术领域,具体涉及一种芯片封装体及其制备方法、芯片封装结构。该方法包括:S1、对晶圆的背面依次进行光刻、刻蚀处理,形成空腔,空腔的侧壁与晶圆的背面相接处自然形成尖角;S2、对晶圆的整个背面进行刻蚀处理,使尖角转变成圆角;S3、在晶圆的背面涂覆第一绝缘层;S4、对第一绝缘层进行光刻处理,暴露出电极pad;S5、在第一绝缘层上沉积金属膜层,对金属膜层依次进行图形化处理、电镀处理、刻蚀处理,形成金属导线;S6、在金属导线上涂覆第二绝缘层,并进行光刻处理,在暴露出的金属导线上植入金属球,得到芯片封装体。该方法能够通过优化芯片结构及形成较厚绝缘层等措施,从根本上有效解决芯片漏电问题。

天眼查资料显示,上海新微技术研发中心有限公司,成立于2013年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析,上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了21家企业,参与招投标项目490次,财产线索方面有商标信息52条,专利信息834条,此外企业还拥有行政许可47个。

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来源:市场资讯

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