北方集成电路申请半导体结构及其形成方法专利，降低位线和位线之间的干扰
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2026-03-21 12:42:04
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国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121712014A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有浮栅介质层和多晶硅浮栅层以及贯穿所述多晶硅浮栅层和浮栅介质层并延伸至所述半导体衬底中的隔离沟槽，所述隔离沟槽中形成有隔离结构，所述隔离结构的顶面高于所述浮栅介质层的顶面低于所述多晶硅浮栅层的顶面；高于所述隔离结构顶面的部分多晶硅浮栅层的宽度小于低于所述隔离结构顶面的部分多晶硅浮栅层的宽度。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以减薄浮栅层的宽度以及控制隔离结构的形貌为“U”字形形状，避免控制栅填充时产生空隙，降低位线和位线之间的干扰。
天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息573条，此外企业还拥有行政许可125个。
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