国家知识产权局信息显示,嘉兴斯达微电子有限公司申请一项名为“一种低杂散电感的功率半导体模块”的专利,公开号CN121712360A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本发明公开了一种低杂散电感的功率半导体模块,涉及电子器件技术领域。其包括散热基板、壳体及功率模块主体,壳体与散热基板合围形成容纳空间,功率模块主体设于其中。功率模块主体含绝缘陶瓷基板、三个结构适配的功率端子、信号针、IGBT芯片及二极管芯片,芯片与信号针均与绝缘陶瓷基板电性连接。第二与第三功率端子的水平连接部以1mm‑3mm间距上下布置,形成紧密耦合结构,利用反向电流磁场抵消效应降杂散电感;信号针设“S”形缓冲杆,引脚开焊接孔,绝缘陶瓷基板为复合层结构。本发明在有限封装空间内有效降低杂散电感,提升模块开关频率、功率密度及连接可靠性,适用于新能源汽车、光伏风电等领域。
天眼查资料显示,嘉兴斯达微电子有限公司,成立于2021年,位于嘉兴市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本210933.16万人民币。通过天眼查大数据分析,嘉兴斯达微电子有限公司参与招投标项目52次,专利信息107条,此外企业还拥有行政许可23个。
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来源:市场资讯