英飞凌申请具有堆叠阻挡结构及镍中间结构的电子部件专利，提供具有堆叠的阻挡结构、包括镍的中间结构以及铜和/或铝结构的电子部件
创始人
2026-03-23 19:48:34
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“具有堆叠的阻挡结构、包括镍的中间结构以及铜和/或铝结构的电子部件”的专利，公开号CN121712325A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，提供一种具有堆叠的阻挡结构、包括镍的中间结构以及铜和/或铝结构的的电子部件。电子部件(100)包括：半导体主体(102)；半导体主体(102)中的有源区(104)；布置在有源区(104)上或上方并且包括堆叠体(108)的至少一个金属化结构(106)，所述至少一个金属化结构(106)具有阻挡结构(110)的堆叠体(108)、在阻挡结构(110)上并且包括镍的中间结构(112)、以及在中间结构(112)上并且包括铜和/或铝的铜和/或铝结构(114)；以及连接到堆叠体(108)的侧壁(136)的电介质结构(120)。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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