格力电子申请半导体器件及其制备方法专利，解决了现有技术中半导体器件欧姆接触电阻高的问题
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2026-03-27 19:07:50
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国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121751728A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：基底，包括衬底和外延层，外延层位于衬底的一侧，基底具有第一掺杂类型；多个掺杂区，间隔的位于外延层中，且掺杂区背离衬底的一侧表面位于外延层背离衬底的一侧表面中，掺杂区具有第二掺杂类型；多个欧姆接触结构，间隔的位于半导体器件的元胞区的外延层背离衬底的一侧，欧姆接触结构与掺杂区接触，欧姆接触结构中包含碳，解决了现有技术中半导体器件欧姆接触电阻高的问题。
天眼查资料显示，珠海格力电子元器件有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电子元器件有限公司参与招投标项目31次，专利信息241条，此外企业还拥有行政许可108个。
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来源：市场资讯
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