国家知识产权局信息显示,上海微阱电子科技有限公司申请一项名为“一种硅光芯片及其制造方法”的专利,公开号CN121772411A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本发明涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种硅光芯片及其制造方法,通过准备第一硅光芯片预制体、第二硅光芯片预制体及至少一个后装硅光芯片预制体;将第一硅光芯片预制体与第二硅光芯片预制体对接并键合,得到键合预制体;在键合预制体的至少一侧表面,键合后装硅光芯片预制体,得到新的键合预制体,直至全部的后装硅光芯片预制体均完成键合;每一个耦合光栅均与另一个硅光芯片预制体中的耦合光栅组成光栅对,光信号能通过透光窗口区在同一光栅对中的两个耦合光栅之间传播;对键合预制体进行背面引出与钝化,得到硅光芯片。本发明在大大缩小硅光芯片空间占用的同时,保障了硅光芯片的设计自由度,拓宽了硅光芯片的适用场景,提升了泛用性。
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来源:市场资讯
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