武汉联拓新材料申请半导体晶圆磨抛方法专利，能降低磨抛时半导体晶圆破损几率
创始人
2026-04-02 09:57:31
0次
国家知识产权局信息显示，武汉联拓新材料有限公司申请一项名为“半导体晶圆磨抛方法和半导体晶体制备方法”的专利，公开号CN121756183A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体晶圆磨抛方法、半导体晶体制备方法及光子计数CT扫描设备，半导体晶圆磨抛方法包括：将半导体晶圆、第一陪磨件和第二陪磨件均置于磨抛盘的磨抛面一侧；第一陪磨件的第一陪磨面和磨抛面的间距为d1，半导体晶圆的待加工面和磨抛面的间距为d2，第二陪磨件的第二陪磨面和磨抛面的间距为d3，使d1≤d2＜d3；向磨抛盘中加入磨抛料，半导体晶圆和第一陪磨件的硬度均小于磨抛料的硬度，第二陪磨件的硬度不小于磨抛料的硬度；使磨抛面相对靠近第二陪磨面，且磨抛面在接触第一陪磨面后对第一陪磨件研磨抛光，并在接触待加工面后对半导体晶圆研磨抛光。该半导体晶圆磨抛方法能降低磨抛时半导体晶圆破损几率，提高磨抛后半导体晶圆的尺寸精度。
天眼查资料显示，武汉联拓新材料有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉联拓新材料有限公司参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息1条，此外企业还拥有行政许可2个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
相关内容
热门资讯
山东嵌入式直流充电桩
在探讨为电动汽车补充能量的技术方案时，一种将充电设备与建筑或设施进行物理整合的设计思路值得关注。这种...
鑫谷电子申请具有归纳束线结构的...
国家知识产权局信息显示，惠州市鑫谷电子科技有限公司申请一项名为“一种具有归纳束线结构的台式电脑机箱电...
亿帆医药：创新药亿立舒在法国商...
4月2日，亿帆医药宣布，其控股子公司亿一生物自主研发的创新生物药Ryzneuta®（efbemale...
科技股大反攻！半导体两天涨9%...
*三大股指走高，道指涨超200点； *中长期美债收益率上扬，2年期美债站稳3.80%； *耐克重挫超...
武汉联拓新材料申请半导体晶圆磨...
国家知识产权局信息显示，武汉联拓新材料有限公司申请一项名为“半导体晶圆磨抛方法和半导体晶体制备方法”...
逾八成消费电子及家电A股公司2...
Choice数据显示，截至4月1日19时，在已披露2025年业绩的35家消费电子A股公司中，30家公...
TCL电子（01070.HK）...
证券之星消息，4月1日南向资金增持259.8万股TCL电子（01070.HK）。近5个交易日中，获南...
比特微电子申请电源域管理电路和...
国家知识产权局信息显示，深圳比特微电子科技有限公司申请一项名为“电源域管理电路和片上系统”的专利，公...
上海微阱电子申请硅光芯片及其制...
国家知识产权局信息显示，上海微阱电子科技有限公司申请一项名为“一种硅光芯片及其制造方法”的专利，公开...
IEAE 电子展助力行情！ 消...
4月1日上午，A股三大指数集体上涨，上证指数盘中上涨1.37%，医药生物、电子、计算机等板块涨幅靠前...