湖北江城芯片申请半导体结构及其形成方法专利，有效抑制空洞的产生并提高了半导体结构的可靠性_电子应用

湖北江城芯片申请半导体结构及其形成方法专利，有效抑制空洞的产生并提高了半导体结构的可靠性

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2026-04-04 19:31:39

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国家知识产权局信息显示，湖北江城芯片中试服务有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121793750A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括提供第一晶圆，第一晶圆包括衬底以及位于衬底上的布线结构，布线结构之间形成有沟槽；在沟槽内和布线结构背离衬底一侧表面形成第一介质层，且位于沟槽上的第一介质层内具有间隙；对第一介质层进行第一平坦化处理，去除间隙背离衬底一侧的部分第一介质层，在第一介质层中形成第一凹陷，第一凹陷背离衬底一侧的开口具有第一尺寸；刻蚀第一凹陷表面，形成第二凹陷，第二凹陷背离衬底一侧的开口具有第二尺寸，第二尺寸大于第一尺寸；在第二凹陷内和第一介质层背离布线结构的一侧表面形成第二介质层。在本申请有效了抑制空洞的产生并提高了半导体结构的可靠性。

天眼查资料显示，湖北江城芯片中试服务有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北江城芯片中试服务有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目32次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息119条，此外企业还拥有行政许可9个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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