晶合集成申请一种半导体结构的制备方法和半导体结构专利，工艺简单
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2026-04-10 22:05:00
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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制备方法和半导体结构”的专利，公开号CN121843156A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体技术领域。制备方法包括如下步骤：提供基底，基底包括衬底、氮化层和第一沟槽，氮化层形成于衬底的表面，第一沟槽设置于衬底内，第一沟槽的上部贯穿氮化层形成开口；于第一沟槽内填充隔离氧化层；去除氮化层，并于氮化层的对应位置形成堆叠结构；堆叠结构包括多个第一外延层和多个第二外延层，多个第一外延层和多个第二外延层依次交替堆叠形成堆叠结构；刻蚀隔离氧化层至与衬底齐平，形成沟槽隔离结构；在堆叠结构内形成第二沟槽，第二沟槽自上而下贯穿堆叠结构延伸至衬底；在第二沟槽内外延生长外延结构；去除第一外延层。本发明的制备方法工艺简单，稳定性高。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目639次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1597条，此外企业还拥有行政许可26个。
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来源：市场资讯
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