澳柯玛云联申请一种半导体结构及其制作方法专利，解决本征MOS晶体管的漏电问题
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2025-05-27 22:39:15
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金融界2025年5月27日消息，国家知识产权局信息显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN120050988A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该方法基于高压器件第一导电类型轻掺杂源漏光罩形成第一导电类型掺杂区于P型半导体层中，其中，该光罩在本征器件区域增设有窗口，形成的第一导电类型掺杂区包括位于高压器件区域的第一导电类型轻掺杂源漏区与位于本征器件区域的第一导电类型轻掺杂调节区，本征MOS晶体管的第二导电类型轻掺杂源漏区与第二导电类型重掺杂源漏区形成于该第一导电类型轻掺杂调节区。本发明在不额外增加光罩的前提下，利用高压LDD注入同时在本征器件区域进行第一导电类型离子注入，可以提高P型半导体层的掺杂浓度或将其反型，解决本征MOS晶体管的漏电问题，且不会改变其它区域的离子掺杂，可防止产生其它不良影响。
天眼查资料显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司，成立于2020年，位于青岛市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司共对外投资了5家企业，专利信息62条，此外企业还拥有行政许可4个。
来源：金融界
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