奕能科技申请半导体器件专利，通过沟道密度降低半导体器件导通电阻
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2025-05-31 09:03:12
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金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，重庆奕能科技有限公司申请一项名为“半导体器件”的专利，公开号CN120076372A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件，包括：半导体层与沟槽栅，半导体层中包括：埋层，埋层位于沟槽栅底部的半导体层中，与沟槽栅的底部邻接；第二源区，位于埋层中，第二源区的上表面与沟槽栅的底部邻接，下表面与埋层邻接；第二体接触区，位于埋层中，第二体接触区的上表面与沟槽的底部邻接，侧壁与第二源区的侧壁邻接，下表面与埋层邻接；其中，所述沟槽栅包括第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分的底部分别形成电流通道。本申请的半导体器件，通过在宽沟槽的底部形成横向尺寸小于沟槽横向尺寸的埋层，然后在埋层中形成沟道，从而通过沟道密度而降低半导体器件的导通电阻。
天眼查资料显示，重庆奕能科技有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本640.9775万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆奕能科技有限公司共对外投资了3家企业，财产线索方面有商标信息2条，专利信息28条。
来源：金融界
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