金融界2025年5月31日消息,国家知识产权局信息显示,思特威(上海)电子科技股份有限公司申请一项名为“一种图像传感器及其制作方法”的专利,公开号CN120076434A,申请日期为2023年11月。
专利摘要显示,本发明描述了一种图像传感器的制作方法,包括:提供半导体衬底;在半导体衬底内形成多个N型源漏掺杂区;其中,在半导体衬底内形成多个N型源漏掺杂区包括:在半导体衬底内形成多个第一磷离子掺杂区;对应于多个第一磷离子掺杂区,在半导体衬底内形成多个砷离子掺杂区;对应于多个砷离子掺杂区,在半导体衬底内形成多个第二磷离子掺杂区;其中,对应的第一磷离子掺杂区与砷离子掺杂区之间具有交叠区域,且对应的砷离子掺杂区与第二磷离子掺杂区之间具有交叠区域。本发明通过对NMOS源漏掺杂工艺进行了改进,在现有的第一道磷离子掺杂和第二道砷离子掺杂后再增加一道磷离子掺杂,来吸附高剂量砷离子掺杂注入中带来的金属污染,进而改善白色像素点。
天眼查资料显示,思特威(上海)电子科技股份有限公司,成立于2017年,位于上海市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本39971.2197万人民币。通过天眼查大数据分析,思特威(上海)电子科技股份有限公司共对外投资了11家企业,参与招投标项目6次,财产线索方面有商标信息153条,专利信息584条,此外企业还拥有行政许可17个。
来源:金融界