半导体元件工业有限责任公司申请具有沟槽存储栅极的背照式全局快门图像传感器专利，全局快门图像像素表现出改进的全局快门效率
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2025-05-31 09:03:14
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金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“具有沟槽存储栅极的背照式全局快门图像传感器”的专利，公开号CN120075641A，申请日期为2024年03月。
专利摘要显示，本公开涉及具有沟槽存储栅极的背照式全局快门图像传感器。本发明提供了一种图像传感器，该图像传感器可包括被布置成行和列的全局快门图像像素阵列。每个全局快门图像像素可包括实现为沟槽晶体管的存储栅极。该存储栅极可至少部分地由对应的背侧深沟槽隔离结构覆盖。该深沟槽隔离结构可填充有遮光材料。以这种方式配置，全局快门图像像素表现出改进的全局快门效率。
来源：金融界
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