海珀电子申请高电子迁移率晶体管专利，可实现特定结构与掺杂设置
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2025-05-31 13:34:14
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金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，英属开曼群岛商海珀电子股份有限公司申请一项名为“高电子迁移率晶体管”的专利，公开号CN120076388A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，一种高电子迁移率晶体管包括有依序层叠的基板、成核层、缓冲层、通道层及阻障层，缓冲层包含第一缓冲区、第二缓冲区及第三缓冲区，第一缓冲区包含第一氮化物堆叠层与第二氮化物堆叠层，其中第一氮化物堆叠层设置在成核层上，第二氮化物堆叠层设置在第一氮化物堆叠层上；第二缓冲区设置在第一缓冲区上且具有碳及铁掺杂；第三缓冲区设置在第二缓冲区上且具有碳及铁掺杂；第三缓冲区的碳掺杂浓度大于铁掺杂浓度，第二氮化物堆叠层具有碳及铁掺杂，且第二氮化物堆叠层的碳掺杂浓度大于铁掺杂浓度。
来源：金融界
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