富芯半导体取得一种 MOS 器件及其制作方法专利
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2025-05-15 10:56:29
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金融界 2025 年 4 月 28 日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司取得一项名为“一种 MOS 器件及其制作方法”的专利，授权公告号 CN 114220851 B，申请日期为 2021 年 11 月。
天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息284条，此外企业还拥有行政许可16个。
来源：金融界
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