京东方华灿光电申请发光二极管及制备方法专利，有效提高发光二极管良率
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2025-05-15 11:07:31
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金融界2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“发光二极管及发光二极管制备方法”的专利，公开号 CN 119653933 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。所述方法包括：在衬底的底面制作凹槽；通过键合层将所述衬底的表面和外延结构键合；减薄所述衬底，去除所述凹槽。在通过键合层键合衬底和外延结构之前，在衬底的底面制作凹槽，凹槽在键合过程中可以分散或减少应力集中，起到释放应力的作用，有效改善键合后的弯曲问题，从而提高发光二极管的良率；在键合完成后，通过减薄衬底去除该凹槽，对后续制程和芯片不会产生影响。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币，实缴资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目39次，专利信息934条，此外企业还拥有行政许可36个。
来源：金融界
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