澳柯玛云联申请立式 MOS 管及其制备方法专利，摆脱短沟道效应对器件性能带来的影响
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2025-06-03 16:35:55
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金融界 2025 年 6 月 3 日消息，国家知识产权局信息显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请一项名为“立式 MOS 管及其制备方法”的专利，公开号 CN120091597A，申请日期为 2023 年 11 月。
专利摘要显示，本发明提供一种立式 MOS 管及其制备方法，通过将现有沿水平方向布置的 MOS 管结构，包括源极、沟道及漏极，设置为沿垂直方向布置的 MOS 管结构，使沟道沿垂直方向导通，另外通过在垂直方向的上层电极(源极或漏极)外侧壁形成绝缘侧墙作为电隔离层，且使在垂直方向的下层电极(漏极或源极)的长度较沟道层及上层电极较长，使立式 MOS 管三个电极引出结构在垂直方向错位引出，从而实现立式结构的 MOS 管，其沟道沿垂直方向导通，沟道长度不受水平面积的限制，电极尺寸的微缩不会影响沟道的长度，进而摆脱短沟道效应对器件性能带来的影响，增加 MOS 管的密度。
来源：金融界
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