金融界 2025 年 6 月 3 日消息,国家知识产权局信息显示,青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请一项名为“立式 MOS 管及其制备方法”的专利,公开号 CN120091597A,申请日期为 2023 年 11 月。
专利摘要显示,本发明提供一种立式 MOS 管及其制备方法,通过将现有沿水平方向布置的 MOS 管结构,包括源极、沟道及漏极,设置为沿垂直方向布置的 MOS 管结构,使沟道沿垂直方向导通,另外通过在垂直方向的上层电极(源极或漏极)外侧壁形成绝缘侧墙作为电隔离层,且使在垂直方向的下层电极(漏极或源极)的长度较沟道层及上层电极较长,使立式 MOS 管三个电极引出结构在垂直方向错位引出,从而实现立式结构的 MOS 管,其沟道沿垂直方向导通,沟道长度不受水平面积的限制,电极尺寸的微缩不会影响沟道的长度,进而摆脱短沟道效应对器件性能带来的影响,增加 MOS 管的密度。
来源:金融界