威兆半导体申请半导体功率器件及其制备方法专利，提高半导体功率器件的综合性能
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2025-06-06 13:05:48
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金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市威兆半导体股份有限公司申请一项名为“半导体功率器件及其制备方法”的专利，公开号CN120111924A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体功率器件及其制备方法，包括：在衬底上形成若干个栅沟槽；以预设倾斜角度向至少一相邻的栅沟槽之间进行P+离子注入，形成P+功能区；在栅沟槽内形成厚氧垫层，以及同步对厚氧垫层和P+功能区高温推阱；在栅沟槽内形成第一多晶硅层和第二多晶硅层，构建沟槽栅结构；在衬底上相邻的栅沟槽之间，和P+功能区上进行自对准P‑离子注入，形成体区；在衬底上进行N+离子注入，形成位于除P+功能区之外的，以及体区之上的源区；形成连接至体区内的接触孔区，以及在衬底上形成覆盖接触孔区的源极金属层，以及衬底背金形成漏区。
天眼查资料显示，深圳市威兆半导体股份有限公司，成立于2012年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本6188万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市威兆半导体股份有限公司共对外投资了5家企业，财产线索方面有商标信息32条，专利信息120条，此外企业还拥有行政许可20个。
来源：金融界
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