威兆半导体申请半导体功率器件及其制备方法专利，提高半导体功率器件的综合性能_电子应用

威兆半导体申请半导体功率器件及其制备方法专利，提高半导体功率器件的综合性能

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2025-06-06 13:05:48

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金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市威兆半导体股份有限公司申请一项名为“半导体功率器件及其制备方法”的专利，公开号CN120111924A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体功率器件及其制备方法，包括：在衬底上形成若干个栅沟槽；以预设倾斜角度向至少一相邻的栅沟槽之间进行P+离子注入，形成P+功能区；在栅沟槽内形成厚氧垫层，以及同步对厚氧垫层和P+功能区高温推阱；在栅沟槽内形成第一多晶硅层和第二多晶硅层，构建沟槽栅结构；在衬底上相邻的栅沟槽之间，和P+功能区上进行自对准P‑离子注入，形成体区；在衬底上进行N+离子注入，形成位于除P+功能区之外的，以及体区之上的源区；形成连接至体区内的接触孔区，以及在衬底上形成覆盖接触孔区的源极金属层，以及衬底背金形成漏区。

天眼查资料显示，深圳市威兆半导体股份有限公司，成立于2012年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本6188万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市威兆半导体股份有限公司共对外投资了5家企业，财产线索方面有商标信息32条，专利信息120条，此外企业还拥有行政许可20个。

来源：金融界

企业方法显示功率沟槽信息器件导体威兆专利半导体栅沟槽衬底体区

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