湖北星辰技术申请半导体结构及其形成方法专利，提供一种半导体结构及其形成方法
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2025-06-06 16:05:16
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金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，湖北星辰技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120111899A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构的形成方法包括：在基底结构上形成图案化的第一金属氮化物层；对第一金属氮化物层暴露出的侧壁以及顶面进行氧化处理；第一电介质层包括第一金属氧化物层以及位于第一金属氧化物层与剩余的第一金属氮化物层之间的第一金属氮氧化物层；在暴露出的基底结构上以及第一电介质层上形成图案化的第二金属氮化物层。
天眼查资料显示，湖北星辰技术有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本2935.8218万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北星辰技术有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目28次，财产线索方面有商标信息13条，专利信息67条，此外企业还拥有行政许可16个。
来源：金融界
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