上海积塔半导体取得具有双深沟槽隔离的半导体结构及其制备方法专利
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2025-06-06 20:07:40
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金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司取得一项名为“具有双深沟槽隔离的半导体结构及其制备方法”的专利，授权公告号CN119920688B，申请日期为2025年04月。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1829次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1144条，此外企业还拥有行政许可192个。
来源：金融界
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