长江存储申请半导体结构及其制备方法等相关专利降低栅控损伤的风险_电子应用

长江存储申请半导体结构及其制备方法等相关专利降低栅控损伤的风险

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2025-06-07 20:05:46

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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、半导体器件以及存储器系统”的专利，公开号CN120111877A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其制备方法以及半导体器件和存储器系统，半导体结构的制备方法包括：提供初始半导体结构，初始半导体结构包括半导体柱、初始绝缘层及初始栅极层，初始栅极层位于半导体柱的一侧，初始绝缘层位于相邻两个半导体柱之间；利用掩模版去除与初始栅极层的端部对应的部分初始绝缘层；利用掩模版去除初始栅极层的端部的一部分以得到第一栅极部，未被去除的部分初始栅极层为第二栅极部，第一栅极部及第二栅极部为栅极层的至少一部分；在第一栅极部上形成保护层，保护层至少连接第一栅极部的一端；及在半导体柱的一端形成位线。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1386次，财产线索方面有商标信息977条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

来源：金融界

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