查奥微电子取得碳化硅肖特基二极管器件专利，在一定程度上避免了主结的击穿
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2025-06-07 22:34:23
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，无锡市查奥微电子科技有限公司取得一项名为“一种碳化硅肖特基二极管器件”的专利，授权公告号CN222954304U，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种碳化硅肖特基二极管器件。其技术方案包括：N型衬底上设有的SiC外延层，所述SiC外延层上开设有多个陷阱区，各个所述陷阱区外围均设有内保护环，多个所述陷阱区外围设有外保护环，所述内保护环被所述外保护环包围。通过内保护环和外保护环的设置，内保护环不与任何电极相连，其主要利用pn结在平衡态下形成的耗尽区，当场环形成的耗尽区与主结形成的耗尽区相连后，便拓宽了主结边缘位置的耗尽区宽度，从而降低了主结边缘电场，在一定程度上避免了主结的击穿，并且在外围设置单独通过耗尽区，该耗尽区通过浅槽腐蚀而成，且在该处再设置一圈外保护环，从而进一步提高了保护效果。
天眼查资料显示，无锡市查奥微电子科技有限公司，成立于2018年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1030万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡市查奥微电子科技有限公司专利信息30条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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