安徽格恩半导体申请一种GaN基激光二极管结构专利，达到较好的光学限制效果
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2025-06-09 16:06:35
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金融界2025年6月9日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种GaN基激光二极管结构”的专利，公开号CN120109642A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明涉及一种GaN基激光二极管结构，包括GaN衬底，衬底上生长外延层，外延层包括从下至上依次设置的下覆盖层、下波导层、量子阱、上波导层、电子阻挡层、上覆盖层和外延接触层；外延层上设有欧姆接触层，所述欧姆接触层上镀膜金属覆盖层，沿金属覆盖层、欧姆接触层、外延接触层、上覆盖层制作接近垂直角的脊结构，在脊结构覆盖绝缘层，并覆盖电子阻挡层，绝缘层外侧覆盖P电极，减薄衬底，制作N电极形成激光二极管结构。本发明采用ITO作为欧姆接触层，并搭配Pd作为光刻掩模版；利用ITO侧蚀角度更大，结合Pd掩模，形成直角面；可以形成良好的欧姆接触以及接近垂直角的脊结构，达到较好的光学限制效果。
天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息483条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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