上海积塔半导体申请半导体结构及其形成方法专利，避免游离氧因与有源区反应而导致的有源区的损耗
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2025-06-10 09:34:24
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金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120127056A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成一基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底内的隔离沟槽，所述衬底内具有多个有源区，所述隔离沟槽位于两个相邻的所述有源区之间；形成覆盖于所述隔离沟槽的内壁上的吸收层；沉积第一氧化物材料至所述隔离沟槽内，形成浅沟槽隔离结构，且沉积所述第一氧化物材料于所述隔离沟槽内时产生的游离氧与所述吸收层反应，形成覆盖于所述隔离沟槽的所述内壁上的阻挡层。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1829次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1144条，此外企业还拥有行政许可192个。
来源：金融界
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