南亚科技申请具有经过改善的P-N接面的存储器元件专利，提供一种具有经过改善的P-N接面的存储器元件
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2025-06-11 21:34:52
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金融界2025年6月11日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有经过改善的P-N接面的存储器元件”的专利，公开号CN120129232A，申请日期为2024年03月。
专利摘要显示，本公开提供一种具有经过改善的P‑N接面的存储器元件。该存储器元件包括：一半导体基板，具有一第一表面且在该第一表面下方定义有一主动区；一栅极结构，相邻于该主动区且从该第一表面凹进到该半导体基板；一掺杂构件，延伸至该半导体基板内且被该主动区所围绕；一导电层，包括从该第一表面延伸到该半导体基板中的一第一部分，以及设置在该掺杂构件之上且耦合至该第一部分的一第二部分；一第一绝缘层，设置为相邻于该导电层的该第一部分且位于该掺杂构件与该半导体基板的该主动区之间；一第一接触，设置在该导电层之上且被一第一介电层所围绕；以及一导电柱，设置在该第一接触之上。
来源：金融界
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