紫光半导体申请电容结构及其制作方法专利，增大电容单元的容量
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2025-06-11 22:05:15
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金融界2025年6月11日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“电容结构及其制作方法”的专利，公开号CN120126933A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开涉及一种电容结构及其制作方法，电容结构包括基底、薄膜层以及电容单元，薄膜层包括第一层薄膜，第一层薄膜沉积在基底上，第一层薄膜内形成有沿其厚度方向贯穿的过孔，电容单元包括相互连接的第一部分和第二部分，第一部分贴附在过孔的内表面上，第二部分与第一部分的内表面相贴合，第二部分的内表面用于与第一导电连接件电连接；电容单元包括介质层、用于与第一导电连接件电连接的第一金属层以及用于与第二导电连接件电连接的第二金属层，第二金属层、介质层以及第一金属层依序叠合设置。在第一部分的介质层和第二部分的介质层内均可以形成电场，从而实现对电荷的累积、存储，达到增大电容单元的容量的目的。
天眼查资料显示，成都紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都紫光半导体科技有限公司专利信息41条。
来源：金融界
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